삼성전자의 18나노 D램 공정 기술을 중국으로 빼돌린 혐의로 전직 부장이 징역 7년을 선고받은 가운데, 검찰이 공범 1명의 신원을 새롭게 확보하며 수사를 확대하고 있다.

16일 법조계에 따르면 서울중앙지법은 지난 14일 산업기술유출방지법 위반 혐의를 받는 삼성전자 전직 연구원 A씨에 대해 구속영장을 발부했다. 

해당 사건을 수사 중인 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 A씨 외에도 또 다른 공범 B씨에 대해서도 구속영장을 함께 청구했지만, 법원은 절차상 이유를 들어 B씨에 대한 영장은 기각한 것으로 전해졌다. 검찰은 기각 사유를 보완해 지난 15일 B씨에 대한 영장을 재청구했다.

A씨와 B씨는 지난 2016년 삼성전자의 반도체 핵심 공정 기술 중 하나인 18나노 D램 제조 정보를 불법 유출하고, 이를 중국 반도체 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)의 제품 개발에 활용되도록 한 혐의를 받고 있다. 

CXMT는 중국 안후이성 허페이시의 지원 아래 설립된 반도체 회사로, 2018년 중국 최초로 D램 양산에 성공했으며 현재 글로벌 시장에서 4위 점유율을 기록하고 있다.

이번 사건은 단순한 기업 비밀 유출을 넘어 국가 핵심 기술이 경쟁국으로 넘어간 중대 사안으로 평가된다. 앞서 동일한 혐의로 기소된 삼성전자 전직 부장 김 모씨는 기술유출 사건 1심 최고 형량인 징역 7년을 선고받고 법정구속됐다.

법원은 김씨의 범행에 대해 "국가 핵심기술을 조직적으로 유출해 대한민국 산업 경쟁력에 심각한 악영향을 끼쳤다"며 "사안의 중대성과 사회적 파장을 고려할 때 엄중한 처벌이 불가피하다"고 판단했다.

검찰은 A씨와 B씨 역시 김씨와 공모해 기술 유출에 적극 가담한 정황을 포착하고, 이들의 역할과 행위 범위에 대한 수사를 확대하고 있다. 

특히 이번 사건에 또 다른 공범이나 연루자가 있을 가능성도 열어두고 있으며, 중국 반도체 산업과의 연계성도 면밀히 들여다보고 있는 것으로 알려졌다.

검찰 관계자는 "국가 전략 기술의 불법 유출은 단순한 산업 스파이 행위를 넘어 경제안보를 위협하는 범죄"라며 "관련자 전원에 대해 철저한 수사를 이어가겠다"고 밝혔다.