AI 메모리 기술 혁신의 새 장
SK하이닉스가 AI 시대의 핵심 기술인 HBM4(High Bandwidth Memory) 개발을 세계 최초로 완료하고 양산 체제를 구축했습니다.
회사 측은 12일 이 같은 성과를 공식 발표했습니다.
HBM은 여러 D램을 수직으로 연결해 데이터 처리 속도를 혁신적으로 향상시킨 고부가가치 제품으로, 1세대부터 시작해 현재 6세대인 HBM4까지 발전해왔습니다.
SK하이닉스는 이번 HBM4 개발 성공으로 글로벌 AI 메모리 시장에서 기술 리더십을 다시 한번 입증했다고 밝혔습니다.
개발을 주도한 조주환 SK하이닉스 부사장은 "HBM4 개발 완료는 업계에 새로운 이정표가 될 것"이라며, "고객 요구에 맞는 성능과 효율성을 갖춘 제품을 적시에 공급해 AI 메모리 시장에서의 경쟁 우위를 확보할 것"이라고 강조했습니다.
차세대 AI 인프라의 핵심 솔루션
최근 AI 수요와 데이터 처리량이 폭발적으로 증가하면서 고대역폭 메모리에 대한 수요가 급증하고 있습니다.
대역폭은 HBM 패키지 하나가 초당 처리할 수 있는 총 데이터 용량을 의미하는데, 이와 함께 데이터센터의 전력 효율 문제도 중요한 과제로 부상했습니다.
SK하이닉스의 HBM4는 이전 세대인 HBM3E 대비 데이터 전송 통로(I/O)를 2배 늘린 2,048개를 적용해 대역폭을 2배로 확대했습니다. 또한 전력 효율은 40% 이상 향상시켰습니다.
이 제품을 도입하면 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 높일 수 있어, 데이터 병목 현상 해소와 데이터센터 전력 비용 절감에 크게 기여할 것으로 전망됩니다.
특히 SK하이닉스는 이 제품에 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해, 국제반도체표준협의기구(JEDEC)의 HBM4 표준 동작 속도인 8Gbps를 크게 뛰어넘는 성능을 실현했습니다.
안정적인 양산 체제 구축
SK하이닉스는 HBM4 개발에 시장에서 안정성이 검증된 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용했습니다.
이를 통해 양산 과정의 리스크를 최소화했다고 설명했습니다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓은 후 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정입니다. 특히 SK하이닉스의 어드밴스드 MR-MUF는 칩을 쌓을 때 가해지는 압력을 줄이고 휨 현상 제어 능력을 향상시켜, HBM 공급 생태계 내에서 안정적인 양산성 확보에 핵심 역할을 하고 있습니다.
SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장은 "세계 최초로 양산 체제 구축을 공식 발표한 HBM4는 AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 상징적인 전환점"이라며, "당사는 AI 시대가 요구하는 최고 품질과 다양한 성능의 메모리를 적시에 공급하여 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장해 나가겠다"고 밝혔습니다.